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韓國(guó)批準(zhǔn)三星在華設(shè)閃存芯片工廠,2012年的芯片市場(chǎng)格局將改變

    昨日(1月4日),三星電子公司擬在中國(guó)大陸投資建閃存芯片廠的計(jì)劃,正式獲得韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部批準(zhǔn)。

韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部在聲明中稱(chēng),三星公司擬在中國(guó)建的閃存芯片工廠投產(chǎn)后,每月生產(chǎn)10萬(wàn)塊晶圓片,聲明中沒(méi)有提及投資規(guī)模,也沒(méi)有透露擬建新工廠的具體選址。

三星中國(guó)相關(guān)負(fù)責(zé)人向 《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者表示,由于尚未收到總公司通告,因此暫時(shí)無(wú)法公布方案細(xì)節(jié)。

該計(jì)劃仍需獲得中國(guó)商務(wù)部門(mén)的審批,方能開(kāi)工建設(shè)。

投資超過(guò)35億美元

2011年12月3日,三星電子曾發(fā)布公告稱(chēng),該公司計(jì)劃使用20納米級(jí)以下的技術(shù),為三星產(chǎn)品生產(chǎn)Nand閃存芯片,并向增長(zhǎng)迅速的中國(guó)手機(jī)制造商供貨,力爭(zhēng)在明年開(kāi)工建設(shè),并于2013年正式投產(chǎn)。禮品U盤(pán)定做

有分析師估計(jì),在華設(shè)廠的總投資將介于35億美元至50億美元之間。目前,三星尚未透露該工廠的具體建設(shè)地點(diǎn)。一位不愿具名的業(yè)內(nèi)分析人士向《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者指出,目前最有可能成功中標(biāo)的城市是北京和蘇州。

據(jù)了解,閃存芯片是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于音樂(lè)播放器、智能手機(jī)和平板電腦中。三星公司計(jì)劃在中國(guó)生產(chǎn)的Nand型閃存芯片,將主要用于固態(tài)硬盤(pán)和大容量數(shù)碼存儲(chǔ)卡。因擔(dān)心技術(shù)轉(zhuǎn)讓問(wèn)題,該公司過(guò)去一直未在韓國(guó)和美國(guó)以外地區(qū)建立高科技的生產(chǎn)廠。事實(shí)上,為了防范技術(shù)機(jī)密泄露,韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部要求三星公司加強(qiáng)對(duì)技術(shù)資料的控制。U盤(pán)定做

對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)未必是好事

目前,中國(guó)生產(chǎn)全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機(jī),因此這些產(chǎn)品的核心零配件——內(nèi)存芯片的使用量也在年年劇增。

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        據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司Gartner的數(shù)據(jù),今年全球閃存芯片市場(chǎng)有望突破290億美元,而今年中國(guó)的芯片使用量達(dá)到全球產(chǎn)量的30%,成為世界最大的芯片消費(fèi)國(guó),預(yù)計(jì)今年這一市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)290億美元。

iSuppli分析師顧文君向 《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者表示,三星將芯片廠址選在中國(guó),主要基于以下三個(gè)原因:首先,中國(guó)是該類(lèi)產(chǎn)品目前最大的消耗市場(chǎng),發(fā)展前景廣闊;其次,閃存芯片是一種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,選址靠近終端廠商將為生產(chǎn)提供便利;同時(shí),此類(lèi)產(chǎn)品的生產(chǎn)對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施、政策和產(chǎn)業(yè)環(huán)境要求較高,在國(guó)內(nèi)設(shè)廠,選址城市將會(huì)為三星提供部分政策支持。

據(jù)了解,目前全球市場(chǎng)上主流的智能手機(jī)芯片廠商有:高通、德州儀器、三星、英偉達(dá)等;國(guó)產(chǎn)則有MTK,主要應(yīng)用于中低端市場(chǎng)。

“事實(shí)上,三星將芯片廠設(shè)在中國(guó),對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō),未必是件好事。目前三星的閃存芯片約占國(guó)內(nèi)30%的市場(chǎng)份額,直接在中國(guó)生產(chǎn)產(chǎn)品必然會(huì)降低其生產(chǎn)成本,并鞏固其在中國(guó)市場(chǎng)的霸主地位,行業(yè)集中度會(huì)繼續(xù)加強(qiáng),這樣的話,國(guó)內(nèi)企業(yè)的議價(jià)能力也會(huì)有所減弱。”顧文君說(shuō)。

此前,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀說(shuō)過(guò),三星是個(gè)可怕的公司、可畏的對(duì)手。華碩董事長(zhǎng)施崇棠也稱(chēng),三星擅長(zhǎng)“模仿別人,再把對(duì)方宰掉。”

    目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是"閃動(dòng)的存儲(chǔ)器",通常把它稱(chēng)作"快閃存儲(chǔ)器",簡(jiǎn)稱(chēng)"閃存"。 閃存盤(pán)是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品,可用于存儲(chǔ)任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶,是個(gè)人的“數(shù)據(jù)移動(dòng)中心”。 閃存盤(pán)采用閃存存儲(chǔ)介質(zhì)(Flash Memory)和通用串行總線(USB)接口,具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時(shí)尚潮流等特征,是大家理想的便攜存儲(chǔ)工具.
     內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶(hù)可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū),硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié))。每一頁(yè)的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分,實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息,因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量,2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
      制造工藝可以影響晶體管的密度,也對(duì)一些操作的時(shí)間有影響。譬如前面提到的寫(xiě)穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時(shí)間,它們?cè)谖覀兊挠?jì)算當(dāng)中占去了時(shí)間的重要部分,尤其是寫(xiě)入時(shí)。如果能夠降低這些時(shí)間,就可以進(jìn)一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進(jìn)性能嗎?答案恐怕是否!目前的實(shí)際情況是,隨著存儲(chǔ)密度的提高,需要的讀、寫(xiě)穩(wěn)定時(shí)間是呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的。前面的計(jì)算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢(shì),否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。 以上資訊由深圳U盤(pán)工廠禮品U盤(pán)、正益通電子U盤(pán)生產(chǎn)廠家提供

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